三星与长江存储达成专利合作 加速下一代V-NAND技术研发

三星电子与长江存储签署3D NAND混合键合技术专利许可协议，将在第10代V-NAND（V10）产品中采用长江存储的晶圆键合技术。这项合作将帮助三星突破400层以上堆叠的

三星3nm芯片有望在第二季度开始量产

三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周）开始使用其3GAE（3nm级栅极全方位早期）制造工艺大批量生产芯片。 这一宣布不仅标志着业界首个3nm级的制造技术，而